Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Gesamtnote
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Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

Unterschiede

Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    47 left arrow 62
    Rund um -32% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.3 left arrow 7.4
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    62 left arrow 47
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    7.4 left arrow 9.3
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.9 left arrow 5.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1612 left arrow 1671
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RAM 1
RAM 2

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