Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Pontuação geral
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Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB

Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    7.4 left arrow 5.5
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    5.9 left arrow 3.4
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    45 left arrow 62
    Por volta de -38% menor latência

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    62 left arrow 45
  • Velocidade de leitura, GB/s
    7.4 left arrow 5.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    5.9 left arrow 3.4
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1612 left arrow 1226
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RAM 1
RAM 2

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