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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
7.4
5.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.9
3.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
62
Por volta de -38% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
62
45
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
5.5
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
3.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
10600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
1226
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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