RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
15.2
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3660
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link