RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3660
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link