RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
24
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.2
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.5
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
20.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
17.5
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
4014
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link