RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
17.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
4014
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Kingston 99U5584-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link