RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.7
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2856
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link