RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
77
Rund um -221% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
11.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2856
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link