RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
41
Rund um 41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
12.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.9
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2021
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link