RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
41
Por volta de 41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
7.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
41
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
12.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
7.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2021
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link