RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
24
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
13.6
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3132
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link