RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
76
Rund um 68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
13
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
6.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
76
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
13.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
6.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
1621
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link