RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
76
Wokół strony 68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
76
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1621
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link