RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
29
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.0
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2724
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link