RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
29
Autour de 17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
29
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2724
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link