RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
30
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2976
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link