RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2976
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link