RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
36
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
9.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
6.8
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2091
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link