RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
30
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
11.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.5
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2517
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link