RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
30
Por volta de 20% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
30
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
11.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
8.5
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2517
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link