RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
119
Rund um 80% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
1.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
2.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
119
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
1.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
2.0
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
447
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link