RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
119
Por volta de 80% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
1.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
2.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
119
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
1.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
2.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
447
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMT41GU6MFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link