RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
97
Rund um 75% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
97
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
6.7
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
1479
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link