RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston X75V1H-MIE 32GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
57
Rund um 58% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
57
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
15.5
Speicherbandbreite, mbps
19200
25600
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2886
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link