RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston X75V1H-MIE 32GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
57
En 58% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
57
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
25600
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2886
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link