RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
47
Rund um 49% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
47
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
11.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.9
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2227
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link