RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
47
Por volta de 49% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
47
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
11.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
7.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2227
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link