RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
41
Rund um 41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
7.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.6
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
1855
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link