Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Pontuação geral
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    24 left arrow 41
    Por volta de 41% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    16 left arrow 7.7
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.5 left arrow 7.6
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    24 left arrow 41
  • Velocidade de leitura, GB/s
    16.0 left arrow 7.7
  • Velocidade de escrita, GB/s
    12.5 left arrow 7.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Tempos / Velocidade do relógio
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2925 left arrow 1855
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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