RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
39
Rund um 38% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
16
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.9
Speicherbandbreite, mbps
19200
25600
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2782
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kllisre D4 8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link