RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
20.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
69
Rund um -245% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.2
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
20.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
19.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
4235
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link