RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
69
Intorno -245% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.2
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
20
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
20.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
19.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
4235
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link