RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
26
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2891
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link