RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2891
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link