RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
24
Rund um -26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.3
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
19.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
13.8
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3169
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link