RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
24
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
19
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3169
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link