RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
14.6
Скорость записи, Гб/сек
7.5
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2427
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Сравнения RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link