RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
28
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
9.9
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2427
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link