RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2588
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link