RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
24
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
15.0
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3619
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link