RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
24
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
20
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3619
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kllisre 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Inmos + 256MB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link