RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
66
Около 59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
66
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
15.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
1877
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link