RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
15.4
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3594
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link