RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 28
    Около 14% меньшая задержка
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    19.4 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    15.4 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 19.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 15.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 3594

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
модули RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
модули RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
модули RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
модули RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
модули RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
модули RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
модули RAM
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
модули RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
модули RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
модули RAM