RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
48
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
5
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.1
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
48
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
14.4
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2080
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link