RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Сравнить
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB против Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
49
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.1
2,343.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
28
Скорость чтения, Гб/сек
5,135.8
13.2
Скорость записи, Гб/сек
2,343.1
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
843
1989
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB Сравнения RAM
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link