Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Gesamtnote
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Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    24 left arrow 28
    Rund um 14% geringere Latenzzeit
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.4 left arrow 16
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    14.5 left arrow 12.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    23400 left arrow 19200
    Rund um 1.22 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    24 left arrow 28
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.0 left arrow 17.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.5 left arrow 14.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 23400
Other
  • Beschreibung
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2925 left arrow 3419
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RAM 1
RAM 2

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