RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
19200
Около 1.22 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
23400
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3419
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link