Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Kingston XN205T-MIE2 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Средняя оценка

Kingston XN205T-MIE2 16GB

Kingston XN205T-MIE2 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17.6 17.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 21300

Около 1.2% выше полоса пропускания

Kingston XN205T-MIE2 16GB

Причины выбрать
Kingston XN205T-MIE2 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 33

Около -14% меньшая задержка
Выше скорость записи

16.3 12.0

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Kingston XN205T-MIE2 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

33 29
Скорость чтения, Гб/сек

17.6 17.2
Скорость записи, Гб/сек

12.0 16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 21300

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2910 3698

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB

EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Kingston XN205T-MIE2 16GB

Kingston XN205T-MIE2 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB

Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB

модули RAM

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N

модули RAM

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB

SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Kingston 9905734-073.A00G 16GB

Kingston 9905734-073.A00G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB

A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB

A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB

модули RAM