RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
76
Rund um 68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
76
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
10.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
6.9
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
1260
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link